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ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
HiPerFET TM MOSFET
ISOPLUS220 TM
Electrically Isolated Back Surface
N-Channel Enhancement Mode
IXFC 80N10
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 100 V
= 80 A
= 12.5 m ?
≤ 200 ns
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 220 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
100
100
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
80
55
320
80
A
A
A
A
D
G = Gate,
S = Source
S
Isolated back surface*
D = Drain,
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
50
2.5
5
230
-55 ... +150
150
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
* Patent pending
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
T stg
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
-55 ... +150
300
° C
° C
l
l
l
Low drain to tab capacitance(<35pF)
Low R DS (on)
Rugged polysilicon gate cell structure
F C
Mounting force
11..65/2.4..11 Nm/lb
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V ISOL
50/60 Hz, RMS, leads-to-tab
2500
V~
l
rated
Fast intrinsicRectifier
Weight
2
g
Applications
l
DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
l
l
Batterychargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
100
V
l
l
DC choppers
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.0
4.0
V
Advantages
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
± 100 nA
50 μ A
1 mA
12.5 m ?
l
l
l
l
Easy assembly: no screws or isolation
foils required
Space savings
High power density
Low collector capacitance to ground
(low EMI)
? 2001 IXYS All rights reserved
98852 (8/01)
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